检测时，可通过分别测量"+”极与两个"一”极、”一”极与两个“一”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，检测时，可用万用表的Rxlok挡测显其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kf,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有-定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表RI挡测量。正常时，其正向电阻值(黑表笔接正极为2.5-3.5Q，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。
